FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 28A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 28A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 54nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4700pF @ 15V |
Power - Max | 2.8W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric MX |
Корпус | DIRECTFET™ MX |
IRF6725MTRPBF (MOSFET) N-Channel HEXFET Power MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF6721STR1 | INTERNATIONAL RECTIFIER | |||||||
IRF6721STR1 | ||||||||
IRF6721STR1 | INFINEON | |||||||
IRF6721STR1PBF | N-channel hexfet power mosfet | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF6725MTR1 | INTERNATIONAL RECTIFIER | |||||||
IRF6725MTR1 |
|