IRF6725MTRPBF


N-channel hexfet power mosfet

Купить IRF6725MTRPBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF6725MTRPBF
Версия для печати

Технические характеристики IRF6725MTRPBF

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2 mOhm @ 28A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C28A
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs54nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4700pF @ 15V
Power - Max2.8W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DirectFET™ Isometric MX
КорпусDIRECTFET™ MX
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6725MTRPBF (MOSFET)

N-Channel HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6725MTRPBF datasheet
257.7 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    IRF6721STR1     INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF6721STR1       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF6721STR1     INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF6721STR1PBF N-channel hexfet power mosfet   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF6725MTR1     INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF6725MTR1       Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход