IRF6775M

Версия для печати

Технические характеристики IRF6775M

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56 mOhm @ 5.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1411pF @ 25V
Power - Max	2.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric MZ
Корпус	DIRECTFET™ MZ

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6775M (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6775M datasheet
231.1 Кб