IRF6785

Версия для печати

Технические характеристики IRF6785

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 4.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1500pF @ 25V
Power - Max	2.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric MZ
Корпус	DIRECTFET™ MZ

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6785 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6785 datasheet
604.3 Кб