Полярность | N |
Каналов,шт | 2 |
VDSS,В | 55 |
RDS(ON) 4.5 В,мОм | 65 |
RDS(ON) 10 В,мОм | 50 |
ID,А | 4.7 |
PWT,Вт | 2 |
Корпус | SOIC-8 |
IRF7341IPBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel
Производитель:
|
|