IRF7452Q

Версия для печати

Технические характеристики IRF7452Q

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 2.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	930pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7452Q (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7452Q datasheet
204.6 Кб