|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 14A, 7V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 7V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3520pF @ 25V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
IRF7484Q (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR3220S | Микросхема управления ЭД постоянного тока с полумостовым инвертором и схемой ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IR3220S | Микросхема управления ЭД постоянного тока с полумостовым инвертором и схемой ... | 1 060.00 | ||||||
IRFR3707ZCTRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | |||||||
IRFR3707ZCTRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | 1 339 | ||||||
VNH3SP30-E | 800.00 | |||||||
VNH3SP30-E | ST MICROELECTRONICS | |||||||
VNH3SP30-E | STMicroelectronics | |||||||
VNH3SP30-E | МАЛАЙЗИЯ |
|