Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 1.7A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.4A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 210pF @ 25V |
Power - Max | 1.25W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Корпус | Micro8™ |
IRF7503 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADM2483BRW | Интерфейс RS-485 Slew-Rate Limited Isolated трансивер | ANALOG DEVICES | ||||||
ADM2483BRW | Интерфейс RS-485 Slew-Rate Limited Isolated трансивер | 636.00 | ||||||
ADM2483BRW | Интерфейс RS-485 Slew-Rate Limited Isolated трансивер | ANALOG DEVICES | ||||||
ADM2483BRW | Интерфейс RS-485 Slew-Rate Limited Isolated трансивер | FULIHAO TECH | ||||||
AT25512N-SH-B | 660.00 | |||||||
AT25512N-SH-B | ATMEL | |||||||
AT25512N-SH-B | MICRO CHIP | |||||||
BYG20J | Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | VISHAY | ||||||
BYG20J | Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | 13.20 | ||||||
DS3234SN | Часы реального времени, T=0°C ~ 70°C | MAXIM | ||||||
DS3234SN | Часы реального времени, T=0°C ~ 70°C | MAX | ||||||
DS3234SN | Часы реального времени, T=0°C ~ 70°C | 740.00 | ||||||
DS3234SN | Часы реального времени, T=0°C ~ 70°C | MAXIM | ||||||
IPW60R045CP | INFINEON | |||||||
IPW60R045CP | 1 536 | 1.70 | ||||||
IPW60R045CP | Infineon Technologies |
|