IRF7555
Hexfet power mosfets dual p-channel
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1066pF @ 10V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Корпус | Micro8™ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7555 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel
Производитель:
|
