IRF7702

Версия для печати

Технические характеристики IRF7702

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 8A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	81nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3470pF @ 10V
Power - Max	1.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус	8-TSSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7702 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7702 datasheet
184.7 Кб