IRF7756GPBF
Hexfet power mosfets dual p-channel
|
Версия для печати
| Полярность | P |
| Каналов,шт | 2 |
| VDSS,В | 12 |
| RDS(ON) 2,7 В,мОм | 58 |
| RDS(ON) 4.5 В,мОм | 40 |
| ID,А | 4.3 |
| PWT,Вт | 1 |
| Корпус | TSSOP-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7756GPBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel
Производитель:
|
 | Г4-115 Используются в качестве источников СВЧ колебаний при настройке, регулировке и испытаниях радиотехнических устройств сантиметрового диапазона волн. Бла... 117312.00 руб Купить |
 | MMBD352LT1 Сдвоенный ограничительный диод шоттки Купить |
 | A67P93361 Быстродействующее синхронное статическое озу zero bus latency (zebl) 512кх36 Купить |
