IRF7805A

Версия для печати

Технические характеристики IRF7805A

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 7A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	31nC @ 5V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7805A (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7805A datasheet
225.3 Кб