IRF7807Z
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
IRF7807Z (INTERNATIONAL RECTIFIER) |
800 |
107.10
|
IRF7807Z |
704 |
29.15
|
|
Технические характеристики IRF7807Z
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8 mOhm @ 11A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 770pF @ 15V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru