IRF8252PbF
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25В, 25А)
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 25A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 53nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5305pF @ 13V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF8252PbF (MOSFET) 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
Производитель:
|
