![]() |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 75A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4750pF @ 50V |
Power - Max | 230W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRFB3307ZPBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ТС112-10-6 |
![]() |
260.00 | |||||
![]() |
ТС112-10-6 | ЗАПОРОЖЬЕ |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|