Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 58A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 97A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4820pF @ 50V |
Power - Max | 230W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRFB4410ZPBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF8010PBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | |||||||
IRF8010PBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | 267 | ||||||
IRF8010PBF | INFINEON | |||||||
IRF8010PBF | ||||||||
R2KN | Огpаничительный диод Vrm=140V (Vz=150-170V) | SK | ||||||
R2KN | Огpаничительный диод Vrm=140V (Vz=150-170V) | 27.20 | ||||||
R2KN | Огpаничительный диод Vrm=140V (Vz=150-170V) | SANKEN | ||||||
КУ202Н | Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс | 292 | 86.28 | |||||
КУ202Н | Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс | ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ | ||||||
КУ202Н | Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс | СТАРТ | ||||||
КУ202Н | Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс | СССР ЭКСПОРТ | ||||||
КУ202Н | Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс | СТАРТМОСКВА | ||||||
КУ202Н | Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс | RUS | ||||||
КУ202Н | Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс | ТАРТ | ||||||
КУ202Н | Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс | СЗТП | 20 | 77.74 | ||||
КУ202Н | Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс | П/П 2 | ||||||
КУ202Н | Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс | РОССИЯ |
|