IRFBE30L
Hexfet® power mosfet
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Корпус | I2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFBE30L (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 22118.4 КГЦ 30 PPM 20PF |
|
|
||||||
| 22118.4 КГЦ 30 PPM 20PF | TAIZHOU |
|
|
|||||
| 22118.4 КГЦ 30 PPM 20PF | КИТАЙ |
|
|
|||||
 |
 |
ADS1230 |
|
20-ти разрядный дельта-сигма ацп для устройств с датчиками | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|
| CS1180 | CHIPSEA TECHNOLOGIES CO. LTD |
|
|
|||||
|
|
FM25C160-S |
|
Ферроэлектрическая энергонезавис. память (FRAM) (16Kb, Vcc=+5V, -40 to +85C).PB-free | RAMTRON |
|
|
||
|
|
FM25C160-S |
|
Ферроэлектрическая энергонезавис. память (FRAM) (16Kb, Vcc=+5V, -40 to +85C).PB-free |
|
162.92 | |||
| JL04-20EB-R |
|
JAE Electronics |
|
|
