IRFD9110PBF


МОП-Транзистор, Р-канал, Vси = -100В, Iс = -0.7A, 1.3Вт, Rоткр = 1.2 Ом, 1.3Вт

Купить IRFD9110PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFD9110PBF
Версия для печати

Технические характеристики IRFD9110PBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2 Ohm @ 420mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C700mA
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs8.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds200pF @ 25V
Power - Max1.3W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)4-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус4-DIP, Hexdip, HVMDIP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFD9110PBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFD9110PBF datasheet
1.8 Мб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    3296Y-1-103LF, 10 КОМ     BOURNS Заказ радиодеталей цена радиодетали
7812CV (L7812CV) Стабилизаторы положительной полярности с максимальным выходным током 1,5А в ...   ST MICROELECTRONICS 1 787 30.00 
    MCC-Y5V-50-1 Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В   HITANO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MCC-Y5V-50-1 Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В     Заказ радиодеталей 10.80 
    К10-17Б-2000 М47 5% Керамический конденсатор 2000 пФ 50 В     Заказ радиодеталей 17.28 
    К10-17Б-62 М1500 5% Керамический конденсатор 62 пФ 50 В     Заказ радиодеталей 21.92 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход