IRFNL210B

Версия для печати

Технические характеристики IRFNL210B

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	225pF @ 25V
Power - Max	3.1W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-92-3 (Long Body), TO-226
Корпус	TO-92L

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFNL210B (MOSFET)

200V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

IRFNL210B datasheet
680 Кб