IRFPS29N60LPBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFPS29N60LPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	210 mOhm @ 17A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	29A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	220nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6160pF @ 25V
Power - Max	480W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-274AA
Корпус	SUPER-247 (TO-274AA)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFPS29N60LPBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFPS29N60LPBF datasheet
190.6 Кб