IRFSL3607PBF


Транзистор полевой N-канальный MOSFET (75V, 80A)

Купить IRFSL3607PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFSL3607PBF
Версия для печати

Технические характеристики IRFSL3607PBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs9 mOhm @ 46A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C80A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs84nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3070pF @ 50V
Power - Max140W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-262-3 (Straight Leads)
КорпусTO-262
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFSL3607PBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFSL3607PBF datasheet
426 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход