IRFU1205
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 26A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 44A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 107W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Корпус | I-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFU1205 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
 | TA8216H Усилитель низкой частоты 2x13W (28V/8 Ом) 372.80 руб Купить |
 | П5102 Масса переключателя не более 5 г Сопротивление изоляции не менее 1000 МОм Электрическая прочность изоляции 1200 В 182.40 руб Купить |
 | KPT-3216CGCK Светодиод для поверхностного монтажа 3.2х1.6мм Размер корпуса 3.2х1.6х0.75мм. Малое потребление. Широкий угол обзора. Уровень чувствительности к в... Купить |
