IRL7833L

Версия для печати

Технические характеристики IRL7833L

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 38A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	150A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	47nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4170pF @ 15V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRL7833L (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRL7833L datasheet
269.6 Кб