IRLI640GPBF
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (200V, 9.9A, 40W, 0.18R)
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 5.9A, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 66nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Power - Max | 40W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack, Isolated |
| Корпус | TO-220-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLI640GPBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
