IRLMS1503


Hexfet power mosfets discrete n-channel

Купить IRLMS1503 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRLMS1503
Версия для печати

Технические характеристики IRLMS1503

СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.2A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs9.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds210pF @ 25V
Power - Max1.7W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)Micro6™(TSOP-6)
КорпусMicro6™(TSOP-6)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLMS1503 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLMS1503 datasheet
150.6 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход