IRLMS5703

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLMS5703		94.76

Версия для печати

Технические характеристики IRLMS5703

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	170pF @ 25V
Power - Max	1.7W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	Micro6™(TSOP-6)
Корпус	Micro6™(TSOP-6)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLMS5703 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLMS5703 datasheet
206.8 Кб