IRLS3036PbF


Транзистор МОП N-канальный 60V 270A 380W D2PA

Купить IRLS3036PbF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRLS3036PbF
Версия для печати

Технические характеристики IRLS3036PbF

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4 mOhm @ 165A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C195A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs140nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds11210pF @ 50V
Power - Max380W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLS3036PbF (MOSFET)

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLS3036PbF datasheet
355.1 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход