IRLSL3036PbF

Версия для печати

Технические характеристики IRLSL3036PbF

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 165A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	195A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	140nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	11210pF @ 50V
Power - Max	380W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLSL3036PbF (MOSFET)

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLSL3036PbF datasheet
355.1 Кб