IRLSL4030PbF

Версия для печати

Технические характеристики IRLSL4030PbF

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 110A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	180A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	130nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	11360pF @ 50V
Power - Max	370W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLSL4030PbF (MOSFET)

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLSL4030PbF datasheet
382.9 Кб