Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 25A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 160A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 59nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4880pF @ 15V |
Power - Max | 135W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
Корпус | I-Pak |
IRLU8743PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ЖИР ПАЯЛЬНЫЙ, 20 ГР. | ||||||||
ПАЯЛЬНИК- 220/ 80 | МАСШТАБ | |||||||
ПАЯЛЬНИК- 220/ 80 |
|