IXFB30N120P

Версия для печати

Технические характеристики IXFB30N120P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PolarVHV™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	310nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	22500pF @ 25V
Power - Max	1250W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	3-PLUS264™
Корпус	PLUS264™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFB30N120P (MOSFET)

PolarVHV HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFB30N120P datasheet
101.4 Кб