IXFB50N80Q2

Версия для печати

Технические характеристики IXFB50N80Q2

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HiPerFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	50A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	260nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7200pF @ 25V
Power - Max	890W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	3-PLUS264™
Корпус	PLUS264™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFB50N80Q2 (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFETs

Производитель:
IXYS

IXFB50N80Q2 datasheet
155.3 Кб