IXFC52N30P

Версия для печати

Технические характеристики IXFC52N30P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PolarHT™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 26A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	24A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3490pF @ 25V
Power - Max	100W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	ISOPLUS220™
Корпус	ISOPLUS220™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFC52N30P (MOSFET)

PolarHT HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFC52N30P datasheet
145.5 Кб