IXFH10N100P

Версия для печати

Технические характеристики IXFH10N100P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	Polar™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3030pF @ 25V
Power - Max	380W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247
Корпус	TO-247

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFH10N100P (MOSFET)

Polar Power MOSFET HiPerFET

Производитель:
IXYS

IXFH10N100P datasheet
178.1 Кб