IXFH150N17T

Версия для печати

Технические характеристики IXFH150N17T

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchHV™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	175V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	150A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	155nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	9800pF @ 25V
Power - Max	830W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247
Корпус	TO-247

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFH150N17T (MOSFET)

Power MOSFET TrenchHV HiPerFET

Производитель:
IXYS

IXFH150N17T datasheet
130 Кб