IXFK24N100


Транзистор N-канальный 1000V 24A 560W 0,39R TO264A

Купить IXFK24N100 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFK24N100
Версия для печати

Технические характеристики IXFK24N100

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHiPerFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs390 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C24A
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs267nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds8700pF @ 25V
Power - Max560W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-264
КорпусTO-264
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFK24N100 (MOSFET)

HiPerFETTM Power MOSFETs

Производитель:
IXYS

IXFK24N100 datasheet
133.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход