IXFK250N10P

Версия для печати

Технические характеристики IXFK250N10P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	Polar™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	250A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	205nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	16000pF @ 25V
Power - Max	1250W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-264
Корпус	TO-264

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFK250N10P (MOSFET)

Polar Power MOSFET HiperFET

Производитель:
IXYS

IXFK250N10P datasheet
148.9 Кб