IXFK52N30Q

Версия для печати

Технические характеристики IXFK52N30Q

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HiPerFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	52A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5300pF @ 25V
Power - Max	360W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-264AA
Корпус	TO-264AA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFK52N30Q (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFETs

Производитель:
IXYS

IXFK52N30Q datasheet
70.6 Кб