IXFL100N50P

Версия для печати

Технические характеристики IXFL100N50P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PolarHV™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	70A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	240nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	20000pF @ 25V
Power - Max	625W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	ISOPLUS264™
Корпус	ISOPLUS264™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFL100N50P (MOSFET)

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFL100N50P datasheet
205.7 Кб