IXFL70N60Q2

Версия для печати

Технические характеристики IXFL70N60Q2

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HiPerFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	92 mOhm @ 35A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	37A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	265nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	12000pF @ 25V
Power - Max	360W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	ISOPLUS264™
Корпус	ISOPLUS264™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFL70N60Q2 (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

Производитель:
IXYS

IXFL70N60Q2 datasheet
132.1 Кб