IXFN170N30P


Polar power mosfet hiperfet

Купить IXFN170N30P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFN170N30P
Версия для печати

Технические характеристики IXFN170N30P

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияPolar™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs18 mOhm @ 85A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C138A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs258nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds20000pF @ 25V
Power - Max890W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SOT-227-4, miniBLOC
КорпусSOT-227B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN170N30P (MOSFET)

Polar Power MOSFET HiPerFET

Производитель:
IXYS

IXFN170N30P datasheet
119 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход