IXFN210N20P

Версия для печати

Технические характеристики IXFN210N20P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HiPerFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 105A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	188A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	255nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	18600pF @ 25V
Power - Max	1070W
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	SOT-227-4, miniBLOC
Корпус	SOT-227B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN210N20P (MOSFET)

Polar HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFN210N20P datasheet
121.9 Кб