IXFN300N10P

Версия для печати

Технические характеристики IXFN300N10P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	Polar™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	295A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	279nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	23000pF @ 25V
Power - Max	1070W
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	SOT-227-4, miniBLOC
Корпус	SOT-227B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN300N10P (MOSFET)

Polar Power MOSFET HiPerFET

Производитель:
IXYS

IXFN300N10P datasheet
120.2 Кб