IXFN32N100P

Версия для печати

Технические характеристики IXFN32N100P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	Polar™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	27A
Vgs(th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	225nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	14200pF @ 25V
Power - Max	690W
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	SOT-227-4, miniBLOC
Корпус	SOT-227B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN32N100P (MOSFET)

Polar Power MOSFET HiPerFET

Производитель:
IXYS

IXFN32N100P datasheet
109.2 Кб