IXFN66N50Q2


Hiperfet power mosfets q2-class

Купить IXFN66N50Q2 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFN66N50Q2
Версия для печати

Технические характеристики IXFN66N50Q2

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHiPerFET™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs80 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C66A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs199nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds6800pF @ 25V
Power - Max735W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SOT-227-4, miniBLOC
КорпусSOT-227B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN66N50Q2 (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class

Производитель:
IXYS

IXFN66N50Q2 datasheet
121.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход