IXFN70N60Q2


Hiperfet power mosfet q2-class

Купить IXFN70N60Q2 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFN70N60Q2
Версия для печати

Технические характеристики IXFN70N60Q2

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHiPerFET™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs80 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C70A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs265nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds7200pF @ 25V
Power - Max890W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SOT-227-4, miniBLOC
КорпусSOT-227B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN70N60Q2 (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

Производитель:
IXYS

IXFN70N60Q2 datasheet
110.6 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    APT60M75JVR     APT Заказ радиодеталей цена радиодетали
    APT60M75JVR     Microsemi Power Products Group Заказ радиодеталей цена радиодетали
    APT60M75JVR       Заказ радиодеталей цена радиодетали
  H11C4   Fairchild Optoelectronics Group Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IXFN180N20       Заказ радиодеталей 6 440.00 
    IXFN180N20     IXYS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  IXFN44N50Q   IXYS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  IXFN44N50Q     Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход