IXFN70N60Q2

Версия для печати

Технические характеристики IXFN70N60Q2

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HiPerFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	70A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	265nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7200pF @ 25V
Power - Max	890W
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	SOT-227-4, miniBLOC
Корпус	SOT-227B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN70N60Q2 (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

Производитель:
IXYS

IXFN70N60Q2 datasheet
110.6 Кб

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		APT60M75JVR			APT
		APT60M75JVR			Microsemi Power Products Group
		APT60M75JVR
		H11C4			Fairchild Optoelectronics Group
		IXFN48N50			IXYS
		IXFN48N50
		P403KW			Vishay/Semiconductors