IXFN80N50Q2

Версия для печати

Технические характеристики IXFN80N50Q2

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HiPerFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	250nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	12800pF @ 25V
Power - Max	890W
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	SOT-227-4, miniBLOC
Корпус	SOT-227B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN80N50Q2 (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

Производитель:
IXYS

IXFN80N50Q2 datasheet
113.2 Кб