IXFP4N100P

Версия для печати

Технические характеристики IXFP4N100P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	Polar™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1456pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFP4N100P (MOSFET)

Polar Power MOSFET HiPerFET

Производитель:
IXYS

IXFP4N100P datasheet
150.1 Кб