IXFP8N50PM

Версия для печати

Технические характеристики IXFP8N50PM

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PolarHV™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1050pF @ 25V
Power - Max	42W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFP8N50PM (MOSFET)

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFP8N50PM datasheet
107 Кб