IXFQ10N80P

Версия для печати

Технические характеристики IXFQ10N80P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PolarHV™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2050pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3P
Корпус	TO-3P

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFQ10N80P (MOSFET)

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFQ10N80P datasheet
158.5 Кб