IXFR32N100P

Версия для печати

Технические характеристики IXFR32N100P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	Polar™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	340 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	225nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	14200pF @ 25V
Power - Max	320W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	ISOPLUS247™
Корпус	ISOPLUS247™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFR32N100P (MOSFET)

Polar Power MOSFET HiPerFET

Производитель:
IXYS

IXFR32N100P datasheet
107.9 Кб